2 марта 2017 
AdminGWP Exynos 9 8895, сoздaнный нa oснoвe 10-нм прoцeссa FinFET.
Samsung прeдстaвилa мoщный флaгмaнский прoцeссoр Exynos 9 8895, который был создан на основе 10-нм процесса FinFET транзистор с 3D-структуры, передает PhoneArena.
Известно, что технология, используемая в процессоре юг, производитель, участвует в другом топовом процессоре — процессор Snapdragon 835 от Qualcomm, которая также была разработана при участии компании Samsung.
Предполагается, что именно Exynos 9 8895 основа линии флагманский смартфон компании — Galaxy S8, презентация которой ожидается в апреле этого года.
Сообщается, что процессор позволяет передавать данные со скоростью 1 Гбит / с, и передачи данных в сети на скорости до 150 Мбит/с. Кроме того, новинка во-первых, по словам производителя, получил гигабитный LTE-модем с агрегации пяти несущих.
Процессор Exynos 9 8895 должен обеспечить производительность на 27 процентов больше по сравнению с предшественником, при этом в конечном итоге на 40 процентов меньше энергии.
Ранее сообщалось, что в Сети были опубликованы характеристики будущего флагманского смартфона Samsung Galaxy S8.
Galaxy S8 Plus: «утекли» подробности о фаблете
Рубрика: